Name: STB45N50DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16134-2-ND
Price: 197.0969 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STB45N50DM2AG
Číslo produktu DigiKey	497-16134-2-ND - Páska a cívka (TR) 497-16134-1-ND - Řezaná páska (CT) 497-16134-6-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STB45N50DM2AG
Popis	MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 500 V 35A (Tc) 250W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STB45N50DM2AG Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	MDmesh™ DM2
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	35A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	84mOhm při 17,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2600 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	250W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	STB45