Name: STB30N65M2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB30N65M2AGTR-ND
Price: 131.1761 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STB30N65M2AG
Číslo produktu DigiKey	497-STB30N65M2AGTR-ND - Páska a cívka (TR) 497-STB30N65M2AGCT-ND - Řezaná páska (CT) 497-STB30N65M2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STB30N65M2AG
Popis	MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 20A (Tc) 190W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STB30N65M2AG Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	180mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	30.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1440 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	190W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	STB30