Name: SCTW60N120G2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW60N120G2-ND
Price: 467.0358 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCTW60N120G2
Číslo produktu DigiKey	497-SCTW60N120G2-ND
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	SCTW60N120G2
Popis	DISCRETE
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 60A (Tc) 389W (Tc) Průchozí otvor HiP247™
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SCTW60N120G2 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	-
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	60A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	52mOhm při 30A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	94 nC @ 8 V
Vgs (max)	+18V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1969 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	389W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 200°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	HiP247™
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	SCTW60