Name: SCT040TO65G3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT040TO65G3TR-ND
Price: 245.025 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCT040TO65G3
Číslo produktu DigiKey	497-SCT040TO65G3TR-ND - Páska a cívka (TR) 497-SCT040TO65G3CT-ND - Řezaná páska (CT) 497-SCT040TO65G3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	SCT040TO65G3
Popis	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 35A (Tc) 288W (Tc) Montáž na povrch TOLL (HV)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	35A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	63mOhm při 20A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,2V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	42.5 nC @ 18 V
Vgs (max)	+18V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	853 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	288W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TOLL (HV)
Pouzdro	8-PowerSFN
Základní číslo produktu	SCT040