Name: SCT019HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT019HU120G3AG-ND
Price: 307.23791 CZK
Availability: OutOfStock

Novinka od společnosti DigiKey

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCT019HU120G3AG
Číslo produktu DigiKey	497-SCT019HU120G3AG-ND
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	SCT019HU120G3AG
Popis	SIC MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 90A (Tc) 500W (Tc) Montáž na povrch HU3PAK
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	ECOPACK®
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	90A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	26mOhm při 40A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,2V při 10mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	111.2 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2789 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	500W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	HU3PAK
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

K dispozici pro objednání

Zkontrolovat dodací lhůtu

Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Hromadné balení