Name: SCT019HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT019HU120G3AG-ND
Price: 530.6939 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCT019HU120G3AG
Číslo produktu DigiKey	497-SCT019HU120G3AG-ND
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	SCT019HU120G3AG
Popis	SIC MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 90A (Tc) 500W (Tc) Montáž na povrch HU3PAK
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,2V při 10mA
Mfr STMicroelectronics	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 111.2 nC @ 18 V
Řada ECOPACK®	Vgs (max) +22V, -10V
Balení Hromadné balení	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2789 pF @ 800 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 500W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 90A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 18V	Dodávaná velikost pouzdra HU3PAK
Rds zap (max) při Id, Vgs 26mOhm při 40A, 18V	Pouzdro TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA