Name: S2M0160120K
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0160120K-ND
Price: 143.143 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

S2M0160120K
Číslo produktu DigiKey	1655-S2M0160120K-ND
Výrobce	SMC Diode Solutions
Číslo produktu výrobce	S2M0160120K
Popis	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 17A (Tc) 130W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	SMC Diode Solutions
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	17A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	196mOhm při 10A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 2,5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	26.5 nC @ 20 V
Vgs (max)	+20V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	513 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	130W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-4
Pouzdro	TO-247-4

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 294

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	118,30000 Kč	118,30 Kč
10	78,98000 Kč	789,80 Kč
300	49,79447 Kč	14 938,34 Kč
600	46,32578 Kč	27 795,47 Kč
1 200	45,08910 Kč	54 106,92 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.