Name: S2M0080120N
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0080120N-ND
Price: 556.7815 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

S2M0080120N
Číslo produktu DigiKey	1655-S2M0080120N-ND
Výrobce	SMC Diode Solutions
Číslo produktu výrobce	S2M0080120N
Popis	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 36A (Tc) 176W (Tc) Montáž na šasi SOT-227
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	SMC Diode Solutions
Řada	-
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	36A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	100mOhm při 20A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 10mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	54 nC @ 20 V
Vgs (max)	+20V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1324 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	176W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na šasi
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-227
Pouzdro	SOT-227-4, miniBLOC