Name: RSQ035P03HZGTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RSQ035P03HZGTR-ND
Price: 30.3105 CZK
Availability: OutOfStock

RSQ035P03HZGTR není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

Rohm Semiconductor

Skladem : 2 020

Jednotková cena : 21,68000 Kč

Similar

Nexperia USA Inc.

Skladem : 1 880

Jednotková cena : 19,58000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RSQ035P03HZGTR
Číslo produktu DigiKey	846-RSQ035P03HZGTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RSQ035P03HZGCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RSQ035P03HZGDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RSQ035P03HZGTR
Popis	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 3,5A (Ta) 950mW (Ta) Montáž na povrch TSMT6 (SC-95)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,5A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	65mOhm při 3,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	9.2 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	780 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	950mW (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TSMT6 (SC-95)
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Základní číslo produktu	RSQ035