Name: RQ3G120BJFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3G120BJFRATCBTR-ND
Price: 39.8211 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RQ3G120BJFRATCB
Číslo produktu DigiKey	846-RQ3G120BJFRATCBTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RQ3G120BJFRATCBCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RQ3G120BJFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RQ3G120BJFRATCB
Popis	PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 12A (Tc) 40W (Tc) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	48mOhm při 12A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 279µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	+5V, -20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	750 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	40W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-HSMT (3,2x3)
Pouzdro	8-PowerVDFN