Name: RQ1C075UNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ1C075UNTR-ND
Price: 28.0236 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RQ1C075UNTR
Číslo produktu DigiKey	RQ1C075UNTR-ND - Páska a cívka (TR) RQ1C075UNCT-ND - Řezaná páska (CT) RQ1C075UNDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RQ1C075UNTR
Popis	MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 7,5A (Ta) 700mW (Ta) Montáž na povrch TSMT8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RQ1C075UNTR Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7,5A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	16mOhm při 7,5A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	18 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1400 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	700mW (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TSMT8
Pouzdro	8-SMD, Ploché vodiče
Základní číslo produktu	RQ1C075