Name: RF9P120BKFRATCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF9P120BKFRATCRTR-ND
Price: 40.4987 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RF9P120BKFRATCR
Číslo produktu DigiKey	846-RF9P120BKFRATCRTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RF9P120BKFRATCRCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RF9P120BKFRATCRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RF9P120BKFRATCR
Popis	NCH 100V 12A, DFN2020Y7LSAA, POW
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 12A (Tc) 23W (Tc) Montáž na povrch DFN2020Y7LSAA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	58mOhm při 3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 671µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6.9 nC @ 10 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	360 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	23W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DFN2020Y7LSAA
Pouzdro	6-UDFN podložka pro odvod tepla