Name: RD3L04BBKHRBTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3L04BBKHRBTLTR-ND
Price: 48.6541 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RD3L04BBKHRBTL
Číslo produktu DigiKey	846-RD3L04BBKHRBTLTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RD3L04BBKHRBTLCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RD3L04BBKHRBTLDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RD3L04BBKHRBTL
Popis	NCH 60V 40A, TO-252 (DPAK), POWE
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 40A (Tc) 53W (Tc) Montáž na povrch TO-252
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	13,5mOhm při 40A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 348µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	760 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	53W (Tc)
Provozní teplota	175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63