Name: RD3G08BBJHRBTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3G08BBJHRBTLTR-ND
Price: 86.7086 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RD3G08BBJHRBTL
Číslo produktu DigiKey	846-RD3G08BBJHRBTLTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RD3G08BBJHRBTLCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RD3G08BBJHRBTLDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RD3G08BBJHRBTL
Popis	PCH -40V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 80A (Ta) 142W (Tc) Montáž na povrch TO-252
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	80A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,9mOhm při 80A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	145 nC @ 10 V
Vgs (max)	+5V, -20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7350 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	142W (Tc)
Provozní teplota	175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63