IPP120N10S403AKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Infineon Technologies

Skladem : 1 881

Jednotková cena : 77,90000 Kč

Similar

onsemi

Skladem : 1 490

Jednotková cena : 51,87000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP120N10S403AKSA1
Číslo produktu DigiKey	IPP120N10S403AKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPP120N10S403AKSA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-1
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,9mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 180µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	10120 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	250W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO220-3-1
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	IPP120