FDP19N40 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

onsemi

Skladem : 770

Jednotková cena : 89,36000 Kč

Similar

IXYS

Skladem : 150

Jednotková cena : 191,22000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDP19N40
Číslo produktu DigiKey	FDP19N40-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDP19N40
Popis	MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 400 V 19A (Tc) 215W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDP19N40 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	UniFET™
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	400 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	19A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	240mOhm při 9,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2115 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	215W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220-3
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	FDP19