Name: NP36P04SDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP36P04SDG-E1-AYTR-ND
Price: 64.1905 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NP36P04SDG-E1-AY
Číslo produktu DigiKey	559-NP36P04SDG-E1-AYTR-ND - Páska a cívka (TR) 559-NP36P04SDG-E1-AYCT-ND - Řezaná páska (CT) 559-NP36P04SDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce	NP36P04SDG-E1-AY
Popis	MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 36A (Tc) 1,2W (Ta), 56W (Tc) Montáž na povrch TO-252 (MP-3ZK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NP36P04SDG-E1-AY Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Renesas Electronics Corporation
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	36A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	17mOhm při 18A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2800 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,2W (Ta), 56W (Tc)
Provozní teplota	175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252 (MP-3ZK)
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	NP36P04