
NXV08A170DB2 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 488-NXV08A170DB2-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | NXV08A170DB2 |
Popis | MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA |
Standardní dodací lhůta výrobce | 45 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 80V 200A (Tj) Průchozí otvor APM12-CBA |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | onsemi | |
Řada | - | |
Balení | Nosič | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (polomůstkový) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 80V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 200A (Tj) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 0,99mOhm při 80A, 10V, 1,35mOhm při 80A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 195nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 14000pF při 40V | |
Výkon - max | - | |
Provozní teplota | 175°C (TJ) | |
Třída | Automobilový průmysl | |
Kvalifikace | AEC-Q100 | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Pouzdro | Modul 12-PowerDIP (1,118", 28,40mm) | |
Dodávaná velikost pouzdra | APM12-CBA |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 415,14000 Kč | 415,14 Kč |
10 | 297,26500 Kč | 2 972,65 Kč |
288 | 234,33750 Kč | 67 489,20 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 415,14000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 502,31940 Kč |