
NVXK2TR80WDT | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 5556-NVXK2TR80WDT-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | NVXK2TR80WDT |
Popis | MOSFET 4N-CH 1200V 20A APM32 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 14 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 20A (Tc) 82W (Tc) Průchozí otvor APM32 |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | onsemi | |
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | Karbid křemíku (SiC) | |
Konfigurace | 4N-kanál (polomůstkový) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 20A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 116mOhm při 20A, 20V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4,3V při 5mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 56nC při 20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1154pF při 800V | |
Výkon - max | 82W (Tc) | |
Provozní teplota | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | Automobilový průmysl | |
Kvalifikace | AEC-Q101 | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Pouzdro | Modul 32-PowerDIP (1,311", 33,30mm) | |
Dodávaná velikost pouzdra | APM32 |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 975,89000 Kč | 975,89 Kč |
60 | 685,52917 Kč | 41 131,75 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 975,89000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 1 180,82690 Kč |