
NVXK2TR40WXT | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 5556-NVXK2TR40WXT-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | NVXK2TR40WXT |
Popis | MOSFET 4N-CH 1200V 27A APM32 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 16 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 27A (Tc) 319W (Tc) Průchozí otvor APM32 |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | onsemi | |
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | Karbid křemíku (SiC) | |
Konfigurace | 4N-kanál (polomůstkový) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 27A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 59mOhm při 35A, 20V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4,3V při 10mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 106nC při 20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1789pF při 800V | |
Výkon - max | 319W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | Automobilový průmysl | |
Kvalifikace | AEC-Q101 | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Pouzdro | Modul 32-PowerDIP (1,311", 33,30mm) | |
Dodávaná velikost pouzdra | APM32 |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 1 383,32000 Kč | 1 383,32 Kč |
10 | 1 063,51700 Kč | 10 635,17 Kč |
100 | 1 051,16930 Kč | 105 116,93 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 1 383,32000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 1 673,81720 Kč |