Name: NVMS5P02R2G
Brand: onsemi
SKU: NVMS5P02R2GOSTR-ND
Price: 24.6961 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMS5P02R2G
Číslo produktu DigiKey	NVMS5P02R2GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NVMS5P02R2GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NVMS5P02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMS5P02R2G
Popis	MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 3,95A (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NVMS5P02R2G Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,95A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	33mOhm při 5,4A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,25V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	35 nC @ 4.5 V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1900 pF @ 16 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	-
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	NVMS5P02