Name: NTMTS1D2N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTS1D2N08HTR-ND
Price: 170.9367 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTMTS1D2N08H
Číslo produktu DigiKey	488-NTMTS1D2N08HTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NTMTS1D2N08HCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NTMTS1D2N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTMTS1D2N08H
Popis	T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 41A (Ta), 335A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Montáž na povrch 8-DFNW (8,3x8,4)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	41A (Ta), 335A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,1mOhm při 90A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 590µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	147 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	10100 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	5W (Ta), 300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-DFNW (8,3x8,4)
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	NTMTS1D