Name: NTLJS2103PTBG
Brand: onsemi
SKU: NTLJS2103PTBGOSTR-ND
Price: 18.876 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTLJS2103PTBG
Číslo produktu DigiKey	NTLJS2103PTBGOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTLJS2103PTBGOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTLJS2103PTBGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTLJS2103PTBG
Popis	MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 12 V 3,5A (Ta) 700mW (Ta) Montáž na povrch 6-WDFN (2x2)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	µCool™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	12 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,5A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,2V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	40mOhm při 3A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	800mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1157 pF @ 6 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	700mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	6-WDFN (2x2)
Pouzdro	6-WDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu	NTLJS2103