HUF76419S3ST-F085 onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

HUF76419S3ST-F085 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Infineon Technologies

Skladem : 1 696

Jednotková cena : 35,16000 Kč

Similar

Infineon Technologies

Skladem : 25 443

Jednotková cena : 19,35000 Kč

Similar

Nexperia USA Inc.

Skladem : 0

Jednotková cena : 46,61000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

HUF76419S3ST-F085
Číslo produktu DigiKey	HUF76419S3ST-F085TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	HUF76419S3ST-F085
Popis	MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 29A (Tc) 100W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	PowerTrench®
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	29A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	35mOhm při 29A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	28.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	870 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	100W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	HUF76