Name: HGT1S10N120BNST
Brand: onsemi
SKU: HGT1S10N120BNSTTR-ND
Price: 132.7007 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

HGT1S10N120BNST
Číslo produktu DigiKey	HGT1S10N120BNSTTR-ND - Páska a cívka (TR) HGT1S10N120BNSTCT-ND - Řezaná páska (CT) HGT1S10N120BNSTDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	HGT1S10N120BNST
Popis	IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Jednoduché tranzistory IGBT
Výrobce	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru IGBT	NPT
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)	1200 V
Proud kolektoru (Ic) (max)	35 A
Pulzní proud kolektoru (Icm)	80 A
Vce(zap) (max) při Vge, Ic	2,7V při 15V, 10A
Výkon - max	298 W
Spínací energie	320µJ (zap.), 800µJ (vyp.)
Typ vstupu	Standardní
Náboj hradla	100 nC
Td (zap/vyp) při 25°C	23ns/165ns
Zkušební podmínka	960V, 10A, 10Ohm, 15V
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Základní číslo produktu	HGT1S10