FQD6N50CTM onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

FQD6N50CTM je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

onsemi

Skladem : 2 028

Jednotková cena : 27,70000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 0

Jednotková cena : 34,79000 Kč

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

Skladem : 1 892

Jednotková cena : 48,12000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FQD6N50CTM
Číslo produktu DigiKey	FQD6N50CTMTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FQD6N50CTM
Popis	MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 500 V 4,5A (Tc) 2,5W (Ta), 61W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	QFET®
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,2Ohm při 2,25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	700 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 61W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	FQD6N50