FQB30N06LTM onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

FQB30N06LTM
Číslo produktu DigiKey	FQB30N06LTMTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FQB30N06LTM
Popis	MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 32A (Tc) 3,75W (Ta), 79W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FQB30N06LTM Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	QFET®
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	32A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	35mOhm při 16A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	20 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1040 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,75W (Ta), 79W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	FQB30N06