FDZ197PZ onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

FDZ197PZ je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Nexperia USA Inc.

Skladem : 0

Jednotková cena : 2,04791 Kč

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

Skladem : 902

Jednotková cena : 21,89000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDZ197PZ
Číslo produktu DigiKey	FDZ197PZTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDZ197PZ
Popis	MOSFET P-CH 20V 3.8A 6WLCSP
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 3,8A (Ta) 1,9W (Ta) Montáž na povrch 6-WLCSP (1x1,5)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	PowerTrench®
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,8A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	64mOhm při 2A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	25 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1570 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,9W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	6-WLCSP (1x1,5)
Pouzdro	6-UFBGA, WLCSP
Základní číslo produktu	FDZ19