FDP55N06 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 34,94000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 29 241
Jednotková cena : 29,68000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 550
Jednotková cena : 63,99000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 29 410
Jednotková cena : 38,73000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 418
Jednotková cena : 44,84000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 616
Jednotková cena : 45,68000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 917
Jednotková cena : 53,68000 Kč
Katalogový list
N-kanál 60 V 55A (Tc) 114W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDP55N06

Číslo produktu DigiKey
FDP55N06-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FDP55N06
Popis
MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 55A (Tc) 114W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FDP55N06 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
22mOhm při 27,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1510 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
114W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.