Name: FDMS4435BZ
Brand: onsemi
SKU: FDMS4435BZTR-ND
Price: 27.225 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMS4435BZ
Číslo produktu DigiKey	FDMS4435BZTR-ND - Páska a cívka (TR) FDMS4435BZCT-ND - Řezaná páska (CT) FDMS4435BZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMS4435BZ
Popis	MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 9A (Ta), 18A (Tc) 2,5W (Ta), 39W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	PowerTrench®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9A (Ta), 18A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	20mOhm při 9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2050 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 39W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-PQFN (5x6)
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	FDMS4435