NX7002BKMBYL NXP Semiconductors | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NX7002BKMBYL
Číslo produktu DigiKey	2156-NX7002BKMBYL-954-ND
Výrobce	NXP Semiconductors
Číslo produktu výrobce	NX7002BKMBYL
Popis	NEXPERIA NX7002B - 60V, N-CHANNE
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 350mA (Ta) 350mW (Ta), 3,1W (Tc) Montáž na povrch DFN1006B-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	NXP Semiconductors
Řada	TrenchMOS™
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	350mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,8Ohm při 200mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	23.6 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	350mW (Ta), 3,1W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DFN1006B-3
Pouzdro	3-XFDFN