PSMN2R6-60PSQ Nexperia USA Inc. | Diskrétní polovodičové produkty

PSMN2R6-60PSQ je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Skladem : 2 036

Jednotková cena : 87,36000 Kč

Similar

Texas Instruments

Skladem : 703

Jednotková cena : 80,83000 Kč

Similar

onsemi

Skladem : 1 531

Jednotková cena : 135,14000 Kč

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

Skladem : 0

Jednotková cena : 82,73000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

PSMN2R6-60PSQ
Číslo produktu DigiKey	1727-1057-ND
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	PSMN2R6-60PSQ
Popis	MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 150A (Tc) 326W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	150A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,6mOhm při 25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7629 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	326W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220AB
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	PSMN2R6