Name: PMXB65ENEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PMXB65ENEZTR-ND
Price: 18.9002 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

PMXB65ENEZ
Číslo produktu DigiKey	1727-PMXB65ENEZTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-PMXB65ENEZCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-PMXB65ENEZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	PMXB65ENEZ
Popis	MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 3,2A (Ta) 400mW (Ta), 8,33W (Tc) Montáž na povrch DFN1010D-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,2A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	67mOhm při 3,2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	295 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	400mW (Ta), 8,33W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DFN1010D-3
Pouzdro	3-XDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu	PMXB65