Name: PMXB360ENEAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PMXB360ENEAZTR-ND
Price: 15.6211 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

PMXB360ENEAZ
Číslo produktu DigiKey	1727-PMXB360ENEAZTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-PMXB360ENEAZCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-PMXB360ENEAZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	PMXB360ENEAZ
Popis	MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 1,1A (Ta) 400mW (Ta), 6,25W (Tc) Montáž na povrch DFN1010D-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	PMXB360ENEAZ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	1,1A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	450mOhm při 1,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,7V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	4.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	130 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	400mW (Ta), 6,25W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DFN1010D-3
Pouzdro	3-XDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu	PMXB360