Name: BSS84AKQBZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-BSS84AKQBZTR-ND
Price: 10.6964 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSS84AKQBZ
Číslo produktu DigiKey	1727-BSS84AKQBZTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-BSS84AKQBZCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-BSS84AKQBZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	BSS84AKQBZ
Popis	BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 50 V 270mA (Ta) 420mW (Ta), 4,2W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok DFN1110D-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSS84AKQBZ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	50 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	270mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,5Ohm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	0.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	+12V, -20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	23.2 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	420mW (Ta), 4,2W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Dodávaná velikost pouzdra	DFN1110D-3
Pouzdro	3-XDFN podložka pro odvod tepla