Name: IXTY1R6N50D2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY1R6N50D2-TRLTR-ND
Price: 116.6924 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTY1R6N50D2-TRL
Číslo produktu DigiKey	238-IXTY1R6N50D2-TRLTR-ND - Páska a cívka (TR) 238-IXTY1R6N50D2-TRLCT-ND - Řezaná páska (CT) 238-IXTY1R6N50D2-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXTY1R6N50D2-TRL
Popis	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
Standardní dodací lhůta výrobce	50 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál, režim vybíjení 500 V 1,6A (Tj) 100W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	IXYS
Řada	Depletion
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál, režim vybíjení
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	1,6A (Tj)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	0V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,3Ohm při 800mA, 0V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	23.7 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	645 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	100W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IXTY1