N-kanál, režim vybíjení 1000 V 10A (Tc) 695W (Tc) Montáž na povrch TO-268AA
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTT10N100D2

Číslo produktu DigiKey
IXTT10N100D2-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXTT10N100D2
Popis
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Standardní dodací lhůta výrobce
49 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál, režim vybíjení 1000 V 10A (Tc) 695W (Tc) Montáž na povrch TO-268AA
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1000 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,5Ohm při 5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
-
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
200 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
5320 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
695W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-268AA
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

K dispozici pro objednání
Zkontrolovat dodací lhůtu
Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
300267,02977 Kč80 108,93 Kč
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:267,02977 Kč
Jednotková cena s DPH:323,10602 Kč