
IXTT10N100D2 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | IXTT10N100D2-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXTT10N100D2 |
Popis | MOSFET N-CH 1000V 10A TO268 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 49 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál, režim vybíjení 1000 V 10A (Tc) 695W (Tc) Montáž na povrch TO-268AA |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1000 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 1,5Ohm při 5A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | - | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 200 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 5320 pF @ 25 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 695W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-268AA | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
300 | 264,23897 Kč | 79 271,69 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 264,23897 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 319,72915 Kč |