IXYX110N120A4
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTH1N200P3

Číslo produktu DigiKey
IXTH1N200P3-ND
Výrobce
IXYS
Číslo produktu výrobce
IXTH1N200P3
Popis
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Průchozí otvor TO-247 (IXTH)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
IXYS
Řada
Polar P3™
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
2000 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
1A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
40Ohm při 500mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
646 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247 (IXTH)
Pouzdro
TO-247-3
Základní číslo produktu
IXTH1
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Manufacturer Quote Required
This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.
Chcete-li požádat o cenovou nabídku, Přihlaste se nebo se Zaregistrujte
Může vás též zajímat
1 Položky
IXTH1N200P3HV

IXTH1N200P3HV

MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV

IXYS

212,05000 Kč