N-kanál, režim vybíjení 1000 V 1,6A (Tc) 100W (Tc) Montáž na povrch TO-263AA
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTA1R6N100D2

Číslo produktu DigiKey
238-IXTA1R6N100D2-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXTA1R6N100D2
Popis
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce
32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál, režim vybíjení 1000 V 1,6A (Tc) 100W (Tc) Montáž na povrch TO-263AA
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1000 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
10Ohm při 800mA, 0V
Vgs(th) (max) při Id
-
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
645 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
100W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263AA
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 250
Skladové zásoby výrobce: 700
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1101,46000 Kč101,46 Kč
5052,51560 Kč2 625,78 Kč
10047,78560 Kč4 778,56 Kč
50039,49654 Kč19 748,27 Kč
1 00036,83476 Kč36 834,76 Kč
2 00036,67173 Kč73 343,46 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:101,46000 Kč
Jednotková cena s DPH:122,76660 Kč