IXFX120N25 IXYS | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXFX120N25
Číslo produktu DigiKey	IXFX120N25-ND
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXFX120N25
Popis	MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 250 V 120A (Tc) 560W (Tc) Průchozí otvor PLUS247™-3

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	IXYS
Řada	HiPerFET™
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	250 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	22mOhm při 500mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 8mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	400 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	9400 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	560W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PLUS247™-3
Pouzdro	Varianta TO-247-3
Základní číslo produktu	IXFX120