IXFT50N20 IXYS | Diskrétní polovodičové produkty

IXFT50N20 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

IXYS

Skladem : 0

Jednotková cena : 106,01150 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXFT50N20
Číslo produktu DigiKey	IXFT50N20-ND
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXFT50N20
Popis	MOSFET N-CH 200V 50A TO268
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch TO-268AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	IXYS
Řada	HiPerFET™
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	50A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	45mOhm při 25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 4mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	220 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4400 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-268AA
Pouzdro	TO-268-3, D3PAK (2 přívody + výstupek), TO-268AA
Základní číslo produktu	IXFT50