Name: ISC009N03LF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC009N03LF2SATMA1TR-ND
Price: 31.0728 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISC009N03LF2SATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISC009N03LF2SATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISC009N03LF2SATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISC009N03LF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	ISC009N03LF2SATMA1
Popis	ISC009N03LF2SATMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 43A (Ta), 341A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-62
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	ISC009N03LF2SATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	StrongIRFET™ 2
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	43A (Ta), 341A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,9mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,35V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	143 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6400 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 188W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-62
Pouzdro	8-PowerTDFN

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 4 570

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®