IRLML5103GTRPBF Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IRLML5103GTRPBF je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

Infineon Technologies

Skladem : 0

Jednotková cena : 9,47000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRLML5103GTRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRLML5103GTRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRLML5103GTRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRLML5103GTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRLML5103GTRPBF
Popis	MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Montáž na povrch Micro3™/SOT-23
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	760mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	600mOhm při 600mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	5.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	75 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	540mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	Micro3™/SOT-23
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3