IRFB4710PBF je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 334
Jednotková cena : 55,99000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 867
Jednotková cena : 43,36000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 353
Jednotková cena : 45,89000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 130
Jednotková cena : 55,57000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 538
Jednotková cena : 83,57000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 4 643
Jednotková cena : 74,94000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 470
Jednotková cena : 78,73000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 0
Jednotková cena : 79,99000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 9 902
Jednotková cena : 78,94000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 23
Jednotková cena : 90,94000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 17 875
Jednotková cena : 101,25000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 586
Jednotková cena : 41,68000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 566
Jednotková cena : 87,36000 Kč
Katalogový list
N-kanál 100 V 75A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFB4710PBF

Číslo produktu DigiKey
IRFB4710PBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRFB4710PBF
Popis
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 75A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
14mOhm při 45A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
6160 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
3,8W (Ta), 200W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.