Name: IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH50NE2LM7ZCGATMA1TR-ND
Price: 79.2187 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQEH50NE2LM7ZCGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQEH50NE2LM7ZCGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQEH50NE2LM7ZCGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Popis	TRENCH <= 40V
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 25 V 54A (Ta), 422A (Tc) 2,5W (Ta), 150W (Tc) Montáž na povrch PG-TTFN-9-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	25 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	54A (Ta), 422A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,5mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	1,7V při 432µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6100 pF @ 12 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 150W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TTFN-9-3
Pouzdro	9-PowerTDFN