Name: IQE008N03LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE008N03LM5ATMA1TR-ND
Price: 71.8256 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQE008N03LM5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQE008N03LM5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQE008N03LM5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQE008N03LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQE008N03LM5ATMA1
Popis	TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 27A (Ta), 253A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-8-4
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQE008N03LM5ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	27A (Ta), 253A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,85mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5700 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-8-4
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	IQE008N