Name: IPZ40N04S55R4ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPZ40N04S55R4ATMA1TR-ND
Price: 22.9416 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPZ40N04S55R4ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPZ40N04S55R4ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPZ40N04S55R4ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPZ40N04S55R4ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPZ40N04S55R4ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 40A (Tc) 48W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPZ40N04S55R4ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	5,4mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,4V při 17µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1300 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	48W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	IPZ40N04

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 5 729

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®