IPD50R950CEBTMA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 3 145
Jednotková cena : 27,08000 Kč
Katalogový list

Similar


Renesas Electronics Corporation
Skladem : 5 963
Jednotková cena : 63,11000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 34,79000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 2 840
Jednotková cena : 62,07000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 1 892
Jednotková cena : 48,12000 Kč
Katalogový list
PG-TO252-3-11
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPD50R950CEBTMA1

Číslo produktu DigiKey
IPD50R950CEBTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPD50R950CEBTMA1
Popis
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 4,3A (Tc) 34W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-11
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
13V
Rds zap (max) při Id, Vgs
950mOhm při 1,2A, 13V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
231 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
34W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO252-3-11
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady.