Name: IPD25CN10NGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD25CN10NGATMA1TR-ND
Price: 37.3043 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPD25CN10NGATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD25CN10NGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD25CN10NGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD25CN10NGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD25CN10NGATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD25CN10NGATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	35A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	25mOhm při 35A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 39µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2070 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	71W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD25CN10

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
2 500	9,53972 Kč	23 849,30 Kč
5 000	9,01418 Kč	45 070,90 Kč

Jednotková cena bez DPH:	30,83000 Kč
Jednotková cena s DPH:	37,30430 Kč

IPD25CN10NGATMA1