Name: IPC100N04S51R9ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC100N04S51R9ATMA1TR-ND
Price: 38.0545 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPC100N04S51R9ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPC100N04S51R9ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPC100N04S51R9ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPC100N04S51R9ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPC100N04S51R9ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 100A (Tc) 100W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-34
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPC100N04S51R9ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,9mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,4V při 50µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3770 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	100W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-34
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	IPC100

Jednotková cena bez DPH:	31,45000 Kč
Jednotková cena s DPH:	38,05450 Kč

IPC100N04S51R9ATMA1