IPB80N06S208ATMA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 160
Jednotková cena : 62,49000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 625
Jednotková cena : 35,62000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 80,40000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 464
Jednotková cena : 66,66000 Kč
Katalogový list
PG-TO263-3-2
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB80N06S208ATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB80N06S208ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB80N06S208ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 55 V 80A (Tc) 215W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
55 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
7,7mOhm při 58A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 150µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2860 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
215W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3-2
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady.